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中国科学院上海微系统所：双向高导热石墨膜研究获突破，为 5G 芯片、功率半导体热管理提供技术支撑

中国科学院上海微系统所：双向高导热石墨膜研究获突破，为 5G 芯片、功率半导体热管理提供技术支撑IT之家 6 月 23 日消息，近日，中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表研究，提出以芳纶膜为🈁PG电子官网前(qián)驱(qū)体(tǐ)通(tōng)过(guò)高(gāo)温(wēn)石(shí)墨(mò)化(huà)工(gōng)艺(yì)制(zhì)备(bèi)低(dī)缺(quē)陷(xiàn)、大(dà)晶(jīng)粒(lì)、高(gāo)取(qǔ)向(xiàng)的(de)双(shuāng)向(xiàng)高(gāo)导(dǎo)热(rè)石(shí)墨(mò)膜(mó)，在(zài)膜(mó)厚(hòu)度(dù)达(dá)到(dào) 40 微(wēi)米(mǐ)的(de)情(qíng)况(kuàng)下(xià)实(shí)现(xiàn)面(miàn)内(nèi)热(rè)导(dǎo)率(lǜ) Kin 达(dá)到(dào) 1754W/m·K，面(miàn)外(wài)热(rè)导(dǎo)率(lǜ) Kout 突(tū)破(pò) 14.2W/m·K。与(yǔ)传(chuán)统(tǒng)导(dǎo)热(rè)膜(mó)相(xiāng)比(bǐ)。

中(zhōng)国(guó)科(kē)学院上海微系统所在石墨烯基芯片散热领域取得进展

（2）高度取向石墨烯厚膜结构：低缺陷密度（ID/IG=0.012）、高取向（f =0.959）和大晶粒尺寸（Lc=44.5 nm）。（3）卓越散热性能：膜厚度110 μm，热导率高达1781 W·m⁻¹·K⁻¹，实现对热流密度2025 W·cm⁻2芯片的高效散热降温。2. 高载热石墨烯膜的研究进展综述宏观石墨烯膜具有较高的面内热导率，已成功应用于便携式电子器件的热🈵管理。在过去的几十年里，调控石墨烯膜微观结构并提高面内热导率一直是学术研究的重点。近年来，随着电子器件向高功率和小。

【进展】中国科学院上海微系统所在石墨烯导热膜尺寸效应研究方面取得进展

因此，选择大尺寸的氧化石墨烯（GO）原料，通过涂布、干燥、石墨化和压延等工艺来制备石墨烯导热膜，是制备高性能石墨烯导热膜的重要策略。然而，大尺寸氧化石墨烯的批量化制备本身面临着诸多技术挑战，还存在制备过程繁琐、低产率和高成本等问题。而且，组装过程中，大尺寸氧化石墨烯对高温过程产生气体的逸出存在更显著的抑制作用，导致导热膜中引入的皱纹和微孔等结构缺陷更多。这些问题限制了大尺寸原料在制备高性能石墨烯方面的优势。🥔PG电子官网针对这一问题，该工作系统研究了氧化石墨烯尺寸变化对石墨烯导热膜性能的影。

以创新科技 推动石墨烯在导热领域的发展

以创新科技 推动石墨烯在导热领域的发展随着科学技术的不断发展，各种电子元器件日趋轻量化、轻薄化、柔性化，再加上5G的深度应用导致其耗散功率、密度变得越来越大，严重影响稳定性和使用寿命，因此散热材料的选择变得极其重要。石墨烯作为一种新型的导热、散热材料，面内热导率高，同时具有低密度、低热膨胀系数、良好机械性能等优异特性，在促进传统产业高质量发展，引领高技术前沿等方面均有巨大的应用潜力，成为了当下新兴散热材料的焦点。01 石墨烯导热材料行业领跑者 浙江道明超导科技有限公司成立于2。

东海研究 | 化工深度：热界面材料受益散热需求提升，产业链基础助力国产化突破

工业和信息化部发布了2025年未来产业创新任务揭榜挂帅工作的通知，其中在原子级制造揭榜挂帅任务榜单中涉及到了高导热石墨烯热界面材料(liào)，提(tí)出(chū)到(dào)2025年(nián)，实(shí)现(xiàn)高(gāo)导(dǎo)热(rè)低(dī)热(rè)阻(zǔ)的(de)石(shí)墨(mò)烯(xī)热(rè)界(jiè)面(miàn)材(cái)料(liào)规(guī)模(mó)生(shēng)产(chǎn)，垂(chuí)直(zhí)导(dǎo)热(rè)系(xì)数(shù)大(dà)于(yú)300W/m·K，热(rè)阻(zǔ)小(xiǎo)于(yú)0.05K·cm2/W，压(yā)缩(suō)残(cán)余(yú)应(yīng)力(lì)小(xiǎo)于(yú)30🀄️PSI（50%压(yā)缩(suō)量(liàng)），回(huí)弹(dàn)率大于50%，系列产品在不少于10000个高功率器件上示范应用。石墨烯于2025年由英国曼彻斯特大学的Geim和Novoselov通过机械剥离法首次发现。它是一种典型的二维。